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IRF640S

更新时间： 2024-11-05 22:51:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
8页 86K
描述
N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET

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IRF640S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：TO-263, D2PAK-3
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.02
雪崩能效等级（Eas）：280 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A最大漏极电流 (ID)：18 A
最大漏源导通电阻：0.18 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF640S 数据手册

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IRF640S  
N - CHANNEL 200V - 0.150Ω - 18A TO-263  
MESH OVERLAY MOSFET  
TYPE  
IRF640S  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
200 V  
< 0.18 Ω  
18 A  
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.150 Ω  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
DESCRIPTION  
3
This power MOSFET is designed using he  
company’s consolidated strip layout-based MESH  
OVERLAY process. This technology matches  
and improves the performances compared with  
standardparts from various sources.  
1
D2PAK  
TO-263  
(suffix ”T4”)  
APPLICATIONS  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
■
■
■
HIGH CURRENT SWITCHING  
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)  
DC/DC COVERTERS FOR TELECOM,  
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
200  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
V
200  
± 20  
18  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
A
ID  
11  
A
IDM( )  
72  
A
•
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
125  
W
Derating Factor  
1.0  
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
5
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
( ) ISD ≤ 18A, di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1
1/8  
September 1999  
12345678

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IRF640S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STB19NB20 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH] MOSFET
IRF640SPBF VISHAY

功能相似

 Power MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF640S, SiHF640S, SiHF640L VISHAY

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB
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 		N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 MESH OV
IRF640T MOTOROLA

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 		18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

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