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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF640WC | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF641 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 18A, 150-200V |
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| IRF641 | MOTOROLA |
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18A, 150V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF641 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF641-001PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF641-002 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF641-002PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF641-003 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF641-003PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF641-004 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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