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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF641-004PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF641-005 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF641-009 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF641-009PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF641-011PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF641-012 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF641-012PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF641-013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF641-013PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF641R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-220AB |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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