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IRF641

更新时间: 2024-11-24 20:15:51
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 45K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

IRF641 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SFM
包装说明:TO-220, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.13雪崩能效等级(Eas):580 mJ
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):18 A最大漏极电流 (ID):18 A
最大漏源导通电阻:0.18 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:125 W最大功率耗散 (Abs):125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):72 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):140 ns最大开启时间(吨):90 ns
Base Number Matches:1

IRF641 数据手册

  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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