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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB19NB20
STB19NB20 PDF预览

STB19NB20

更新时间： 2024-11-25 22:26:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 87K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH] MOSFET

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STB19NB20 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：580 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：19 A
最大漏极电流 (ID)：19 A最大漏源导通电阻：0.18 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：76 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB19NB20 数据手册

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STB19NB20  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
PowerMESH MOSFET  
TYPE  
STB19NB20  
VDSS  
200 V  
RDS(on)  
< 0.180 Ω  
ID  
19 A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.150 Ω  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT  
SALES OFFICE  
3
1
DESCRIPTION  
D2PAK  
TO-263  
(suffix ”T4”)  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY  
process, STMicroelectronics has designed an  
advanced family of Power MOSFETs with  
outstanding performance. The new patent  
pending strip layout coupled with the Company’s  
proprietary edge termination structure, gives the  
lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche  
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge  
and switching characteristics.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
200  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
V
200  
30  
V
±
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
19  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
12  
A
IDM( )  
Drain Current (pulsed)  
76  
125  
A
•
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
W
Derating Factor  
1
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
5.5  
Tstg  
Storage Temperature  
-65 to 150  
Tj  
Max. Operating Junction Temperature  
150  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤ 19A, di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/8  
June 1998  
12345678

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STB19NB20 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF640S STMICROELECTRONICS

类似代替

 N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET
IRF640NSTRRPBF INFINEON

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IRF640NSTRLPBF INFINEON

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 Advanced Process Technology

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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