IRF640STRR

更新时间： 2024-11-24 05:39:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管开关脉冲
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8页	2115K
描述
Power MOSFET

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IRF640STRR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.25
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	580 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.18 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IRF640STRR 数据手册

IRF640S, IRF640L, SiHF640S, SiHF640L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Surface Mount

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

200

Available

• Low-Profile Through-Hole

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.18

RoHS*

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

• 150 °C Operating Temperature

• Fast Switching

Q_g(Max.) (nC)

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Fully Avalanche Rated

• Lead (Pb)-free Available

I²PAK

(TO-262)

D²PAK

(TO-263)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combinations of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The D²PAK is a surface mount power package capable of

accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest

power capability and the last lowest possible on-resistance in

any existing surface mount package. The D²PAK is suitable

for high current applications because of its low internal

connection resistance and can dissipate up to 2.0 W in a

typical surface mount application. The through-hole version

(IRF640L/SiHF640L) is available for low-profile applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRF640STRRPbF^a

SiHF640STR-E3^a

IRF640STRR^a

I²PAK (TO-262)

IRF640LPbF

SiHF640L-E3

IRF640L

IRF640SPbF

SiHF640S-E3

IRF640S

IRF640STRLPbF^a

SiHF6340STL-E3^a

IRF640STRL^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF640S

SiHF640STL^a

SiHF640STR^a

SiHF640L

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

200

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^{a, e}

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Avalanche Current^a

I_DM

1.0

W/°C

E_AS

I_AR

580

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

_C= 25 °C

3.1

Maximum Power Dissipation

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

130

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

dV/dt

5.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 2.7 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 18 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 18 A, dI/dt ≤ 150 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRF640/SiHF640 data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91037

S-81241-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF640STRRPBF	VISHAY	完全替代	Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF640STRRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF640T	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 200V - 0.15ヘ - 15A - TO-220 MESH OV
IRF640T	MOTOROLA	获取价格	18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF640U2	MOTOROLA	获取价格	18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF640UA	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF640W	MOTOROLA	获取价格	18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF640WC	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF641	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power MOSFETs, 18A, 150-200V
IRF641	MOTOROLA	获取价格	18A, 150V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF641	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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