Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF5801TRPBF

IRF5801TRPBF

更新时间： 2024-02-05 21:39:14

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		转换器
页数	文件大小	规格书
8页	229K
描述
High frequency DC-DC converters

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRF5801TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, TSOP-6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	0.71	雪崩能效等级（Eas）：	9.9 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.6 A	最大漏极电流 (ID)：	0.6 A
最大漏源导通电阻：	2.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-193AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	4.8 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF5801TRPBF 数据手册

PD-95474B

IRF5801PbF

SMPS MOSFET

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l High frequency DC-DC converters

V_DSS

200V

R_DS(on)max

I_D

0.6A

2.2W

Benefits

l Low Gate to Drain Charge to Reduce

Switching Losses

l Fully Characterized Capacitance Including

Effective C_OSSto Simplify Design, (See

App. Note AN1001)

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

l Lead-Free

TSOP-6

l Halogen-Free

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

0.6

Units

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

0.48

4.8

P_D@T_A= 25°C

Power Dissipation

2.0

W/°C

Linear Derating Factor

0.016

± 30

V_GS

dv/dt

T_J

Gate-to-Source Voltage

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

9.6

V/ns

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (1.6mm from case )

Thermal Resistance

Symbol

R_θJA

Parameter

Junction-to-Ambient

Typ.

–––

Max.

62.5

Units

°C/W

Notes through are on page 8

www.irf.com

04/20/10

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IRF5801TRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF5801TRPbF-1	INFINEON	获取价格	Industry-standard pinout TSOP-6 Package
IRF5802	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=150V, Id=0.9A)
IRF5802PBF	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRF5802PBF_10	INFINEON	获取价格	High frequency DC-DC converters
IRF5802TRPBF	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRF5803	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-40V)
IRF5803D2	INFINEON	获取价格	FETKY⑩ MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-40V, Rds
IRF5803D2PBF	INFINEON	获取价格	FETKY ㈢MOSFET & Schottky Diode
IRF5803D2TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 40V, 0.112ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF5803D2TRPBF	INFINEON	获取价格	Transistor