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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF430EBPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF430ED | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF430EDPBF | INFINEON |
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4.5A, 500V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| IRF430EPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF430R | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA |
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| IRF431 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V |
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| IRF431 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF431 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 450V 4.5A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF431R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-204AA |
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| IRF432 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V |
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