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IRF430ED

更新时间: 2023-01-03 03:38:04
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英飞凌 - INFINEON /
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92页 2894K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

IRF430ED 数据手册

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