5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRF430
IRF430 PDF预览

IRF430

更新时间： 2024-11-17 22:31:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 149K
描述
TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A)

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF430 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：TO-3, 2 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.07Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：1.1 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：1.8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF430 数据手册

 浏览型号IRF430的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF430的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF430的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF430的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF430的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF430的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 90336F  
IRF430  
JANTX2N6762  
JANTXV2N6762  
REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED  
HEXFET TRANSISTORS  
THRU-HOLE (TO-204AA/AE)  
[REF:MIL-PRF-19500/542]  
500V, N-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
IRF430  
500V  
1.5 Ω  
4.5A  
The HEXFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.  
The efficient geometry and unique processing of this latest  
“State of the Art” design achieves: very low on-state resis-  
tance combined with high transconductance; superior re-  
verse energy and diode recovery dv/dt capability.  
TO-3  
The HEXFET transistors also feature all of the well estab-  
lished advantages of MOSFETs such as voltage control,  
very fast switching, ease of paralleling and temperature  
stability of the electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
Repetitive Avalanche Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Hermetically Sealed  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
They are well suited for applications such as switching  
power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio  
amplifiers and high energy pulse circuits.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
4.5  
3.0  
D
GS  
C
A
I
D
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
18  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
75  
W
W/°C  
V
C
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
1.1  
GS  
E
AS  
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
mJ  
I
4.5  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
—
mJ  
AR  
dv/dt  
3.5  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)  
11.5 (typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
01/22/01  
1234567

中文翻译

下载PDF

IRF430 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV2N6762 INFINEON

完全替代

 TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A)
JANTX2N6762 INFINEON

完全替代

 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A)
2N6762 MICROSEMI

功能相似

 N-CHANNEL MOSFET

与IRF430相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF430-433 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V
IRF430CHP VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRF430E INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF430EA INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF430EB INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF430EBPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF430ED INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF430EDPBF INFINEON

获取价格

 		4.5A, 500V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
IRF430EPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF430R NJSEMI

获取价格

 		Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA

与IRF430相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证