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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | Single | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF430E | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF430EA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF430EB | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF430EBPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF430ED | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF430EDPBF | INFINEON |
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4.5A, 500V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| IRF430EPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF430R | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA |
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| IRF431 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V |
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| IRF431 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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