IRF3710LPBF

更新时间： 2024-01-29 17:57:13

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HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23mヘ , ID = 57A )

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IRF3710LPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.05	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	59 A	最大漏极电流 (ID)：	59 A
最大漏源导通电阻：	0.018 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF3710LPBF 数据手册

IRF3710S/LPbF

100000

= 28A

= 0V,

f = 1 MHZ

= 80V

= 50V

= 20V

= C + C

SHORTED

iss

= C

rss

= C + C

10000

1000

100

oss

ds gd

Ciss

Coss

Crss

100

, Total Gate Charge (nC)

, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 6. Typical Gate Charge Vs.

Fig 5. Typical Capacitance Vs.

Gate-to-Source Voltage

Drain-to-Source Voltage

1000.00

100.00

10.00

1.00

1000

100

OPERATION IN THIS AREA

LIMITED BY R

(on)

T = 175°C

100µsec

1msec

= 25°C

10msec

Tc = 25°C

Tj = 175°C

Single Pulse

= 0V

0.10

0.1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

100

1000

, Source-toDrain Voltage (V)

, Drain-toSource Voltage (V)

Fig 8. Maximum Safe Operating Area

Fig 7. Typical Source-Drain Diode

Forward Voltage

www.irf.com

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