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IR2110SPBF

更新时间： 2024-11-06 22:08:19
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英飞凌 - INFINEON 驱动器接口集成电路光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
18页 328K
描述
HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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IR2110SPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SOIC-16Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：18 weeks风险等级：0.9
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：775296Samacsys Pin Count：16
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：IR2110SPBF-1Samacsys Released Date：2018-12-22 05:19:31
Is Samacsys：N高边驱动器：YES
接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G16
JESD-609代码：e3长度：10.3 mm
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：16最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C标称输出峰值电流：2.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP16,.4封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：15 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.65 mm子类别：MOSFET Drivers
最大供电电压：20 V最小供电电压：3.3 V
标称供电电压：15 V电源电压1-最大：520 V
电源电压1-分钟：6 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30断开时间：0.125 µs
接通时间：0.15 µs宽度：7.5 mm
Base Number Matches：1

IR2110SPBF 数据手册

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Data Sheet No. PD60147 rev.  
U
IR2110(-1-2)(S)PbF/IR2113(-1-2)(S)PbF  
HIGH AND LOW SIDE DRIVER  
Features  
Product Summary  
• Floating channel designed for bootstrap operation  
Fully operational to +500V or +600V  
Tolerant to negative transient voltage  
dV/dt immune  
V
(IR2110) 500V max.  
OFFSET  
(IR2113) 600V max.  
I +/-  
O
2A / 2A  
10 - 20V  
• Gate drive supply range from 10 to 20V  
• Undervoltage lockout for both channels  
• 3.3V logic compatible  
V
OUT  
Separate logic supply range from 3.3V to 20V  
t
(typ.)  
120 & 94 ns  
on/off  
Logic and power ground 5V offset  
• CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down  
• Cycle by cycle edge-triggered shutdown logic  
• Matched propagation delay for both channels  
• Outputs in phase with inputs  
Delay Matching (IR2110) 10 ns max.  
(IR2113) 20ns max.  
Packages  
Description  
The IR2110/IR2113 are high voltage, high speed power MOSFET and  
IGBT drivers with independent high and low side referenced output chan-  
nels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable  
ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with  
standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output  
drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum  
16-Lead SOIC  
IR2110S/IR2113S  
14-Lead PDIP  
IR2110/IR2113  
driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The  
floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which  
operates up to 500 or 600 volts.  
Typical Connection  
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(Refer to Lead Assignments for correct pin configuration). This/These diagram(s) show electrical  
connections only. Please refer to our Application Notes and DesignTips for proper circuit board layout.  
www.irf.com  
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