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IR2112

更新时间： 2024-11-29 22:48:07

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英飞凌 - INFINEON		驱动器
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17页	180K
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HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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IR2112 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	DIP-14	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.46	Samacsys Description：	Single MOSFET DRIVER, 14 Pin, Ceramic, DIP
高边驱动器：	YES	接口集成电路类型：	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDIP-T14	长度：	19.305 mm
功能数量：	1	端子数量：	14
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
标称输出峰值电流：	0.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.33 mm
最大供电电压：	20 V	最小供电电压：	3.3 V
标称供电电压：	15 V	电源电压1-最大：	620 V
电源电压1-分钟：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
断开时间：	0.16 µs	接通时间：	0.18 µs
宽度：	7.62 mm

IR2112 数据手册

Data Sheet No. PD60026-R

IR2112(S)&(PbF)

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Features

Product Summary

• Floating channel designed for bootstrap operation

600V max.

200 mA / 420 mA

10 - 20V

OFFSET

• Fully operational to +600V

• Tolerant to negative transient voltage

dV/dt immune

I +/-

• Gate drive supply range from 10 to 20V

• Undervoltage lockout for both channels

• 3.3V logic compatible

OUT

Separate logic supply range from 3.3V to 20V

Logic and power ground ±5V offset

• CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down

• Cycle by cycle edge-triggered shutdown logic

• Matched propagation delay for both channels

• Outputs in phase with inputs

(typ.)

125 & 105 ns

30 ns

on/off

Delay Matching

Packages

• Also available LEAD-FREE

Description

The IR2112(S) is a high voltage, high speed power

MOSFET and IGBT driver with independent high and

low side referenced output channels. Proprietary HVIC

and latch immune CMOS technologies enable rugge-

dized monolithic construction. Logic inputs are com-

patible with standard CMOS or LSTTL outputs, down

16-Lead SOIC

(wide body)

14-Lead PDIP

to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-

conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating

channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which

operates up to 600 volts.

up to 600V

Typical Connection

V_DD

HIN

V_B

V_S

V_DD

HIN

LOAD

LIN

V_SS

V_CC

COM

LIN

V_SS

V_CC

(Refer to Lead Assignments for correct pin configuration). This/These diagram(s) show electrical connections only.

Please refer to our Application Notes and DesignTips for proper circuit board layout.

www.irf.com

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IR2112PBF	INFINEON	功能相似	HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IR2112-1	ETC	获取价格	MOSFET Driver
IR2112-1PBF	INFINEON	获取价格	Half Bridge Based MOSFET Driver,
IR2112-2	INFINEON	获取价格	HIGH AND LOW SIDE DRIVER
IR2112-2PBF	INFINEON	获取价格	Half Bridge Based MOSFET Driver, 0.5A, CMOS, PDIP14, LEAD FREE, PLASTIC, MS-001AA, DIP-16/
IR2112PBF	INFINEON	获取价格	HIGH AND LOW SIDE DRIVER
IR2112S	INFINEON	获取价格	HIGH AND LOW SIDE DRIVER
IR2112SPBF	INFINEON	获取价格	HIGH AND LOW SIDE DRIVER
IR2112STRPBF	INFINEON	获取价格	HIGH AND LOW SIDE DRIVER
IR2113	INFINEON	获取价格	HIGH AND LOW SIDE DRIVER
IR2113-1	INFINEON	获取价格	Half Bridge Based MOSFET Driver, 2.5A, CMOS, PDIP13, PLASTIC, DIP-14/13

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