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IR2112S

更新时间： 2024-11-19 23:16:43

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英飞凌 - INFINEON		驱动器接口集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
17页	180K
描述
HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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IR2112S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SOP,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.31.00.01
风险等级：	5.21	高边驱动器：	YES
接口集成电路类型：	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	JESD-30 代码：	R-PDSO-G16
长度：	10.3 mm	功能数量：	1
端子数量：	16	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	标称输出峰值电流：	0.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.65 mm	最大供电电压：	20 V
最小供电电压：	3.3 V	标称供电电压：	15 V
电源电压1-最大：	620 V	电源电压1-分钟：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	断开时间：	0.16 µs
接通时间：	0.18 µs	宽度：	7.5 mm
Base Number Matches：	1

IR2112S 数据手册

Data Sheet No. PD60026-R

IR2112(S)&(PbF)

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Features

Product Summary

• Floating channel designed for bootstrap operation

600V max.

200 mA / 420 mA

10 - 20V

OFFSET

• Fully operational to +600V

• Tolerant to negative transient voltage

dV/dt immune

I +/-

• Gate drive supply range from 10 to 20V

• Undervoltage lockout for both channels

• 3.3V logic compatible

OUT

Separate logic supply range from 3.3V to 20V

Logic and power ground ±5V offset

• CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down

• Cycle by cycle edge-triggered shutdown logic

• Matched propagation delay for both channels

• Outputs in phase with inputs

(typ.)

125 & 105 ns

30 ns

on/off

Delay Matching

Packages

• Also available LEAD-FREE

Description

The IR2112(S) is a high voltage, high speed power

MOSFET and IGBT driver with independent high and

low side referenced output channels. Proprietary HVIC

and latch immune CMOS technologies enable rugge-

dized monolithic construction. Logic inputs are com-

patible with standard CMOS or LSTTL outputs, down

16-Lead SOIC

(wide body)

14-Lead PDIP

to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-

conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating

channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which

operates up to 600 volts.

up to 600V

Typical Connection

V_DD

HIN

V_B

V_S

V_DD

HIN

LOAD

LIN

V_SS

V_CC

COM

LIN

V_SS

V_CC

(Refer to Lead Assignments for correct pin configuration). This/These diagram(s) show electrical connections only.

Please refer to our Application Notes and DesignTips for proper circuit board layout.

www.irf.com

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IR2112S 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IR2112STRPBF	INFINEON	功能相似	HIGH AND LOW SIDE DRIVER
IR2112SPBF	INFINEON	功能相似	HIGH AND LOW SIDE DRIVER
IR2111SPBF	INFINEON	功能相似	HALF-BRIDGE DRIVER

与IR2112S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IR2112SPBF	INFINEON	获取价格	HIGH AND LOW SIDE DRIVER
IR2112STRPBF	INFINEON	获取价格	HIGH AND LOW SIDE DRIVER
IR2113	INFINEON	获取价格	HIGH AND LOW SIDE DRIVER
IR2113-1	INFINEON	获取价格	Half Bridge Based MOSFET Driver, 2.5A, CMOS, PDIP13, PLASTIC, DIP-14/13
IR2113-1PBF	INFINEON	获取价格	HIGH AND LOW SIDE DRIVER
IR2113-2	ETC	获取价格	MOSFET Driver
IR2113-2PBF	INFINEON	获取价格	HIGH AND LOW SIDE DRIVER
IR2113E6	INFINEON	获取价格	HIGH AND LOW SIDE DRIVER
IR2113E6PBF	INFINEON	获取价格	Half Bridge Based MOSFET Driver, 2A, CMOS, CQCC16, LCC-18
IR2113E6SCB	INFINEON	获取价格	Half Bridge Based MOSFET Driver, 2A, CMOS, CQCC16, LCC-18/16

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