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IPP64N25S3-20

更新时间： 2024-09-17 08:32:39

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描述
Power Field-Effect Transistor

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IPP64N25S3-20 数据手册

IPB64N25S3-20

IPI64N25S3-20, IPP64N25S3-20

OptiMOS^®-T Power-Transistor

Product Summary

V _DS

250

R _DS(on),max

I _D

PG-TO263-3-2

Features

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

• N-channel - Enhancement mode

• AEC qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green Product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

IPB64N25S3-20

IPI64N25S3-20

IPP64N25S3-20

PG-TO263-3-2

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

3PN2520

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C, V _GS=10 V

T _C=100°C, V _GS=10V¹⁾

Continuous drain current

Pulsed drain current¹⁾

I _D,pulse

E _AS

I _AS

T _C=25°C

I _D=27A

256

270

Avalanche energy, single pulse¹⁾

Avalanche current, single pulse

Reverse diode dv /dt

dv /dt

V _GS

P _tot

kV/µs

Gate source voltage

±20

300

T _C=25°C

Power dissipation

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

°C

Rev. 1.0

page 1

2012-10-18

12 3 4 5 6 7...9

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