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IPP65R150CFD

更新时间： 2024-02-08 02:16:45

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无锡固电 - ISC		局域网开关脉冲晶体管
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2页	338K
描述
N-Channel MOSFET Transistor

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IPP65R150CFD 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.11
雪崩能效等级（Eas）：	614 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	650 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	22.4 A
最大漏极电流 (ID)：	22.4 A	最大漏源导通电阻：	0.15 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	195.3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPP65R150CFD 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor

IPP65R099C6，IIPP65R099C6

·FEATURES

·Static drain-source on-resistance:

RDS(on) ≤0.099Ω

·Enhancement mode

·Fast Switching Speed

·100% avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

·DESCRIPTION

·Provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not

sacrificing ease of use

·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_DSS

V_GS

I_D

PARAMETER

VALUE

650

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

Drain Current-Continuous

Drain Current-Single Pulsed

Total Dissipation @T_C=25℃

Max. Operating Junction Temperature

Storage Temperature

I_DM

115

P_D

278

℃

150

T_j

-55~150

T_stg

·THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

Rth(ch-c)

Rth(ch-a)

PARAMETER

MAX

UNIT

℃/W

Channel-to-case thermal resistance

0.45

Channel-to-ambient thermal resistance

isc website：www.iscsemi.cn

isc & iscsemi is registered trademark

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