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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 0.71 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级（Eas）： | 614 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 22.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 72 A | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPP65R150CFD | INFINEON |
类似代替  |
650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7 |
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| IPP65R150CFDAAKSA1 | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPP65R150CFDXKSA1 | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP65R150CFDAAKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPP65R150CFDXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPP65R155CFD7 | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌 650V CoolMOS? CFD7 超结 MOSFET IPP65R155CFD |
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| IPP65R190C6 | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS C6 Power Transistor |
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| IPP65R190C7 | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范 |
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| IPP65R190CFD | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPP65R190CFD7 | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPP65R190CFD |
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| IPP65R190CFD7A | INFINEON |
获取价格 |
TO-220 封装中的 190mOhm IPP65R190CFD7A 是汽车级认证 650 |
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| IPP65R190CFDXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPP65R190CFDXKSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, TO-220, 3 PIN |
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