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IPP65R045C7

更新时间: 2024-09-16 12:26:15
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 1670K
描述
650V CoolMOS™ C7 Power Transistor

IPP65R045C7 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.66其他特性:HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas):249 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:650 V
最大漏极电流 (ID):46 A最大漏源导通电阻:0.045 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):212 A
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPP65R045C7 数据手册

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MOSFET  
MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor  
CoolMOS™ꢀC7  
650VꢀCoolMOS™ꢀC7ꢀPowerꢀTransistor  
IPP65R045C7  
DataꢀSheet  
Rev.ꢀ2.0  
Final  
PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket  

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