是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.66 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
雪崩能效等级(Eas): | 249 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 650 V |
最大漏极电流 (ID): | 46 A | 最大漏源导通电阻: | 0.045 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 212 A |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPP65R045C7XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 650V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPP65R050CFD7A | INFINEON |
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TO-220 封装中的 50mOhm IPP65R050CFD7A 是汽车级认证 650V | |
IPP65R060CFD7 | INFINEON |
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英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPW65R029CFD | |
IPP65R065C7 | INFINEON |
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英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步,在全球范 | |
IPP65R074C6XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide | |
IPP65R075CFD7A | INFINEON |
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TO-220 封装中的 75 mOhm IPP65R075CFD7A 是汽车级认证 650 | |
IPP65R090CFD7 | INFINEON |
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英飞凌 650V CoolMOS? CFD7 超结 MOSFET IPP65R090CFD | |
IPP65R095C7 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPP65R095C7XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPP65R099C6 | ISC |
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N-Channel MOSFET Transistor |