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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.59 | 雪崩能效等级（Eas）： | 484 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 17.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 17.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.19 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 151 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 57.2 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP65R190CFD7 | INFINEON |
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英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPP65R190CFD |
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| IPP65R190CFD7A | INFINEON |
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TO-220 封装中的 190mOhm IPP65R190CFD7A 是汽车级认证 650 |
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| IPP65R190CFDXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPP65R190CFDXKSA2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, TO-220, 3 PIN |
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| IPP65R190E6 | INFINEON |
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650V CoolMOS⢠E6 Power Transistor |
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| IPP65R190E6XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IPP65R225C7 | INFINEON |
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650V CoolMOS⢠C7 Power Transistor |
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| IPP65R225C7XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IPP65R280C6 | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS C6 Power Transistor |
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| IPP65R280C6XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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