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IPP65R225C7XKSA1

更新时间： 2024-11-05 21:00:19

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英飞凌 - INFINEON		/
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15页	1635K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IPP65R225C7XKSA1 技术参数

MOSFET

MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor

CoolMOS™ꢀC7

650VꢀCoolMOS™ꢀC7ꢀPowerꢀTransistor

IPP65R225C7

DataꢀSheet

Rev.ꢀ2.0

Final

PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPP65R280C6	INFINEON	获取价格	650V CoolMOS C6 Power Transistor
IPP65R280C6XKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPP65R280E6	INFINEON	获取价格	650V CoolMOS E6 Power Transistor
IPP65R280E6	ISC	获取价格	N-Channel MOSFET Transistor
IPP65R280E6XKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPP65R310CFD	INFINEON	获取价格	650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor
IPP65R310CFDA	INFINEON	获取价格	650V CoolMOS? CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先
IPP65R310CFDXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 650V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP65R380C6	INFINEON	获取价格	650V CoolMOS C6 Power Transistor
IPP65R380C6XKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M