Datasheet > IPP65R090CFD7

IPP65R090CFD7

更新时间： 2024-11-07 14:56:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		电站栅服务器电信栅极
页数	文件大小	规格书
14页	1059K
描述
英飞凌 650V CoolMOS? CFD7 超结 MOSFET IPP65R090CFD7 采用 TO-220 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPP65R009CFD7 的栅极电荷更低，关断行为得以改善，反向恢复电荷较低，从而可显著提高效率与功率密度，且击穿电压可额外提高 50V。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPP65R090CFD7 数据手册

IPP65R090CFD7

MOSFET

PG-TOꢀ220

650VꢀCoolMOSªꢀCFD7ꢀSJꢀPowerꢀDevice

tab

Theꢀlatestꢀ650ꢀVꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀextendsꢀtheꢀvoltageꢀclassꢀofferingꢀof

theꢀCFD7ꢀfamilyꢀandꢀisꢀaꢀsuccessorꢀtoꢀtheꢀ650ꢀVꢀCoolMOS™ꢀCFD2.

Resultingꢀfromꢀimprovedꢀswitchingꢀperformanceꢀandꢀexcellentꢀthermal

behavior,ꢀ650ꢀVꢀCooMOS™ꢀCFD7ꢀoffersꢀhighestꢀefficiencyꢀinꢀresonant

switchingꢀtopologies,ꢀsuchꢀasꢀLLCꢀandꢀphase-shift-full-bridgeꢀ(ZVS).ꢀAs

partꢀofꢀInfineon’sꢀfastꢀbodyꢀdiodeꢀportfolio,ꢀthisꢀnewꢀproductꢀseriesꢀblends

allꢀadvantagesꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀtechnologyꢀtogetherꢀwithꢀsuperiorꢀhard

commutationꢀrobustness.ꢀTheꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀtechnologyꢀmeets

highestꢀefficiencyꢀandꢀreliabilityꢀstandardsꢀandꢀfurthermoreꢀsupportsꢀhigh

powerꢀdensityꢀsolutions.

Features

Drain

Pin 2, Tab

•ꢀUltra-fastꢀbodyꢀdiode

•ꢀ650Vꢀbreakꢀdownꢀvoltage

•ꢀBest-in-classꢀR_DS(on)

•ꢀReducedꢀswitchingꢀlosses

•ꢀLowꢀR_DS(on)ꢀdependencyꢀoverꢀtemperature

Gate

Pin 1

Source

Pin 3

*1: Internal body diode

Benefits

•ꢀExcellentꢀhardꢀcommutationꢀruggedness

•ꢀExtraꢀsafetyꢀmarginꢀforꢀdesignsꢀwithꢀincreasedꢀbusꢀvoltage

•ꢀEnablingꢀincreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutions

•ꢀOutstandingꢀlightꢀloadꢀefficiencyꢀinꢀindustrialꢀSMPSꢀapplications

•ꢀImprovedꢀfullꢀloadꢀefficiencyꢀinꢀindustrialꢀSMPSꢀapplications

•ꢀPriceꢀcompetitivenessꢀoverꢀpreviousꢀCoolMOS™ꢀfamilies

Potentialꢀapplications

SuitableꢀforꢀSoftꢀSwitchingꢀtopologies

Optimizedꢀforꢀphase-shiftꢀfull-bridgeꢀ(ZVS),ꢀLLCꢀApplicationsꢀ–ꢀServer,

Telecom,ꢀEVꢀCharging,ꢀSolar

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Value

700

Unit

mΩ

Q_g,typ

I_D,pulse

107

7.4

E_oss@ 400V

Body diode di_F/dt

µJ

1300

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPP65R090CFD7

PG-TO220-3

65R090F7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2020-10-28

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与IPP65R090CFD7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPP65R095C7	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP65R095C7XKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP65R099C6	ISC	获取价格	N-Channel MOSFET Transistor
IPP65R099C6XKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide
IPP65R099CFD7A	INFINEON	获取价格	TO-220 封装中的 99mOhm IPP65R099CFD7A 是汽车级认证 650V
IPP65R110CFD	INFINEON	获取价格	650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7
IPP65R110CFD7	INFINEON	获取价格	英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPP65R110CFD
IPP65R110CFDA	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP65R110CFDAAKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP65R110CFDXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与IPP65R090CFD7相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPP65R090CFD7

IPP65R090CFD7 数据手册

与IPP65R090CFD7相关器件

与IPP65R090CFD7相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPP65R090CFD7

IPP65R090CFD7 数据手册

与IPP65R090CFD7相关器件

与IPP65R090CFD7相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？