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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 18 weeks | 风险等级： | 1.66 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 249 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 46 A | 最大漏源导通电阻： | 0.045 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 212 A | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP65R050CFD7A | INFINEON |
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TO-220 封装中的 50mOhm IPP65R050CFD7A 是汽车级认证 650V |
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| IPP65R060CFD7 | INFINEON |
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英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPW65R029CFD |
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| IPP65R065C7 | INFINEON |
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英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范 |
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| IPP65R074C6XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| IPP65R075CFD7A | INFINEON |
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TO-220 封装中的 75 mOhm IPP65R075CFD7A 是汽车级认证 650 |
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| IPP65R090CFD7 | INFINEON |
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英飞凌 650V CoolMOS? CFD7 超结 MOSFET IPP65R090CFD |
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| IPP65R095C7 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP65R095C7XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP65R099C6 | ISC |
获取价格 |
N-Channel MOSFET Transistor |
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| IPP65R099C6XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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