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IPP65R041CFD7

更新时间： 2025-09-17 11:11:43

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		电站服务器电信
页数	文件大小	规格书
14页	1053K
描述
英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPP65R041CFD7 采用 TO-247 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。

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IPP65R041CFD7 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Samacsys Description：	650V CoolMOS CFD7 SJ PowerDevice	Base Number Matches：	1

IPP65R041CFD7 数据手册

IPP65R041CFD7

MOSFET

PG-TOꢀ220

650VꢀCoolMOSªꢀCFD7ꢀSJꢀPowerꢀDevice

tab

Theꢀlatestꢀ650ꢀVꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀextendsꢀtheꢀvoltageꢀclassꢀofferingꢀof

theꢀCFD7ꢀfamilyꢀandꢀisꢀaꢀsuccessorꢀtoꢀtheꢀ650ꢀVꢀCoolMOS™ꢀCFD2.

Resultingꢀfromꢀimprovedꢀswitchingꢀperformanceꢀandꢀexcellentꢀthermal

behavior,ꢀ650ꢀVꢀCooMOS™ꢀCFD7ꢀoffersꢀhighestꢀefficiencyꢀinꢀresonant

switchingꢀtopologies,ꢀsuchꢀasꢀLLCꢀandꢀphase-shift-full-bridgeꢀ(ZVS).ꢀAs

partꢀofꢀInfineon’sꢀfastꢀbodyꢀdiodeꢀportfolio,ꢀthisꢀnewꢀproductꢀseriesꢀblends

allꢀadvantagesꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀtechnologyꢀtogetherꢀwithꢀsuperiorꢀhard

commutationꢀrobustness.ꢀTheꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀtechnologyꢀmeets

highestꢀefficiencyꢀandꢀreliabilityꢀstandardsꢀandꢀfurthermoreꢀsupportsꢀhigh

powerꢀdensityꢀsolutions.

Features

•ꢀUltra-fastꢀbodyꢀdiode

Drain

Pin 2, Tab

•ꢀ650Vꢀbreakꢀdownꢀvoltage

•ꢀBest-in-classꢀR_DS(on)

•ꢀReducedꢀswitchingꢀlosses

•ꢀLowꢀR_DS(on)ꢀdependencyꢀoverꢀtemperature

Gate

Pin 1

Source

Pin 3

Benefits

•ꢀExcellentꢀhardꢀcommutationꢀruggedness

•ꢀExtraꢀsafetyꢀmarginꢀforꢀdesignsꢀwithꢀincreasedꢀbusꢀvoltage

•ꢀEnablingꢀincreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutions

•ꢀOutstandingꢀlightꢀloadꢀefficiencyꢀinꢀindustrialꢀSMPSꢀapplications

•ꢀImprovedꢀfullꢀloadꢀefficiencyꢀinꢀindustrialꢀSMPSꢀapplications

•ꢀPriceꢀcompetitivenessꢀoverꢀpreviousꢀCoolMOS™ꢀfamilies

Potentialꢀapplications

SuitableꢀforꢀSoftꢀSwitchingꢀtopologies

Optimizedꢀforꢀphase-shiftꢀfull-bridgeꢀ(ZVS),ꢀLLCꢀApplicationsꢀ–ꢀServer,

Telecom,ꢀEVꢀCharging,ꢀSolar

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Value

Unit

700

mΩ

Q_g,typ

102

I_D,pulse

211

E_oss@ 400V

Body diode di_F/dt

14.0

1300

µJ

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

IPP65R041CFD7

PG-TO220-3

65R041F7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2020-08-12

12 3 4 5 6 7...14

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