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IPP60R450E6XKSA1

更新时间: 2024-11-26 21:02:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
17页 1222K
描述
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

IPP60R450E6XKSA1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:8.58
雪崩能效等级(Eas):185 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏源导通电阻:0.45 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):26 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPP60R450E6XKSA1 数据手册

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MOSFET  
MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor  
CoolMOS™ꢀE6ꢀ600V  
600VꢀCoolMOS™ꢀE6ꢀPowerꢀTransistor  
IPx60R450E6  
DataꢀSheet  
Rev.ꢀ2.2  
Final  
PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket  

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