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IPP60R520CP

更新时间： 2024-11-02 11:08:55

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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CoolMOS Power Transistor

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IPP60R520CP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.79	雪崩能效等级（Eas）：	166 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.8 A	最大漏极电流 (ID)：	6.8 A
最大漏源导通电阻：	0.52 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	66 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	17 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPP60R520CP 数据手册

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IPP60R520CP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPP60R520CPXKSA1	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP60R520C6	INFINEON	类似代替	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

与IPP60R520CP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPP60R520CPXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP60R520E6	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS E6 Power Transistor
IPP60R520E6XKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPP60R600C6	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPP60R600CP	INFINEON	获取价格	CoolMOS Power Transistor
IPP60R600E6	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS E6 Power Transistor
IPP60R600P7	ISC	获取价格	N-Channel MOSFET Transistor
IPP60R600P7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ P7 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产
IPP60R750E6	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS E6 Power Transistor
IPP60R950C6	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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