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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.75 | 雪崩能效等级（Eas）： | 153 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.1 A | 最大漏极电流 (ID)： | 8.1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.52 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 66 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 22 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP60R520E6XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IPP60R600C6 | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPP60R600CP | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| IPP60R600E6 | INFINEON |
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600V CoolMOS E6 Power Transistor |
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| IPP60R600P7 | ISC |
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N-Channel MOSFET Transistor |
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| IPP60R600P7 | INFINEON |
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600V CoolMOS™ P7 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产 |
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| IPP60R750E6 | INFINEON |
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600V CoolMOS E6 Power Transistor |
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| IPP60R950C6 | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPP60R950C6XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP64CN10N | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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