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IPP64CN10N

更新时间: 2024-11-06 03:44:23
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 388K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

IPP64CN10N 数据手册

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IPD64CN10N G  
IPU64CN10N G  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
100  
64  
V
• N-channel, normal level  
R DS(on),max  
I D  
m  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
17  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
Type  
IPD64CN10N G  
IPU64CN10N G  
Package  
Marking  
PG-TO252-3  
64CN10N  
PG-TO251-3  
64CN10N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
17  
13  
68  
34  
A
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
I D=17 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=17 A, V DS=80 V,  
di /dt =100 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
Gate source voltage3)  
V GS  
±20  
44  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1)J-STD20 and JESD22  
2) see figure 3  
3) T jmax=150°C and duty cycle D =0.01 for V GS<-5V  
Rev. 1.01 page 1  
2006-02-21  

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