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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 7.83 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 418 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 20.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.19 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 59 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP60R190E6 | INFINEON |
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600V CoolMOS E6 Power Transistor |
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| IPP60R190E6XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IPP60R190P6 | ISC |
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N-Channel MOSFET Transistor |
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| IPP60R190P6 | INFINEON |
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英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在 |
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| IPP60R199CP | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| IPP60R199CP_07 | INFINEON |
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CoolMOS® Power Transistor |
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| IPP60R199CPXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPP60R210CFD7 | INFINEON |
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600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj |
|
| IPP60R210CFD7XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IPP60R250CP | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOSTM Power Transistor |
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