5秒后页面跳转
IPP60R250CPXKSA1 PDF预览

IPP60R250CPXKSA1

更新时间: 2024-11-02 21:00:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 624K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

IPP60R250CPXKSA1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:7.87雪崩能效等级(Eas):345 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (ID):12 A最大漏源导通电阻:0.25 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):40 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPP60R250CPXKSA1 数据手册

 浏览型号IPP60R250CPXKSA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPP60R250CPXKSA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPP60R250CPXKSA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPP60R250CPXKSA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPP60R250CPXKSA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPP60R250CPXKSA1的Datasheet PDF文件第7页 
9??-'@),'4?  
4VVS=>AB= # : A0< & <,9 =4=>: <  
7LHZ[XLY  
# <: /?.> % ?88,<C  
-
+
*
=L  1[%^Ri  
/.)  
)'+.)  
+/  
O
V )DL: HI ;><JG: ꢀD;ꢀB : G>I / HGiJX  
V 2 AIG6 ADL <6I: 8=6G<:  
=L"`_#%^Ri  1?    Y  
"
_<  
X%eja  
V " MIG: B : 9Kꢁ9I G6I: 9  
V % ><= E: 6@ 8JGG: CI 86E67>A>IN  
   
V . J6A>;>: 9 for industrial grade applications 688DG9>C< ID ' " !"   
V -7ꢀ;G: : A: 69 EA6I>C<ꢄ / D% 0 8DB EA>6CI; Halogen free mold compound  
I@&MH++)  
 : : 7! " %  # 4= /0=429 0/ 1: <ꢁ  
% 6G9 HL>I8=>C< 0* -0 IDEDAD<>: H  
B_WL  
?HJRHNL  
=HXRPUN  
BII/)K+.)<I  
I@&MH++)  
/K+.)I  
! ,B48?8 <,>49 2=ꢂ 6I , [   Y   JCA: HH DI=: GL>H: HE: 8>;>: 9  
DHS[L  
?HXHTLZLX  
A_TIVS 4VUKPZPVUY  
CUPZ  
(
, <   Y  
*+  
1
  DCI>CJDJH 9G6>C 8JGG: CI  
9
=
, <    Y  
-JAH: 9 9G6>C 8JGG: CI+#  
-)  
(
, <   Y  
=%af]dV  
'
'
(
( =  ꢋꢆ   - ==   3  
( =  ꢋꢆ   - ==   3  
 K6A6C8=: : C: G<Nꢈ H>C<A: EJAH:  
 K6A6C8=: : C: G<Nꢈ G: E: I>I>K: 1 9K  
,-.  
)'.+  
.'+  
^C  
9L  
9K  
+#%,#  
+#%,#  
9
 K6A6C8=: 8JGG: CIꢈ G: E: I>I>K: 1 9K  
* , 0# " 1 92 (U1 GJ<<: 9C: HH  
$ 6I: HDJG8: KDAI6<:  
9K  
-
=L  ꢋꢋꢋꢌ   3  
.)  
92 (U1  
O(_d  
O
-
v+)  
v,)  
*)-  
ꢀꢇ  ꢋꢋꢋ     
   
deReZT  
@L  
   /   % Oꢃ  
, <   Y  
)
-DL: G 9>HH>E6I>DC  
P
e`e  
, [ , deX  
, E: G6I>C< 6C9 HIDG6<: I: B E: G6IJG:  
* DJCI>C< IDGFJ:  
u<  
*  6C9 *  ꢋꢇ H8G: LH  
+ 8B  
Rev. 2.1  
page 1  
2012-01-05  

与IPP60R250CPXKSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP60R280C6 INFINEON

获取价格

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPP60R280CFD7 INFINEON

获取价格

600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj
IPP60R280CFD7XKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IPP60R280E6 INFINEON

获取价格

600V CoolMOS E6 Power Transistor
IPP60R280E6XKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPP60R280P6 INFINEON

获取价格

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPP60R280P6 ISC

获取价格

N-Channel MOSFET Transistor
IPP60R280P6_15 INFINEON

获取价格

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPP60R280P7 INFINEON

获取价格

600V CoolMOS™ P7 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产
IPP60R280P7XKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S