Datasheet > IPP60R385CPXKSA1

IPP60R385CPXKSA1

更新时间： 2024-11-02 20:00:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	573K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.385ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPP60R385CPXKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.47	雪崩能效等级（Eas）：	227 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	9 A	最大漏源导通电阻：	0.385 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	27 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPP60R385CPXKSA1 数据手册

9??-'@*/,4?

4VVS=>A^B=# : A0< & <,9 =4=>: <

7LHZ[XLY

# <: /?.> % ?88,<C

_!0ꢒ 1_[%^Ri

/.)

)',1.

V )DL: HI ;><JG: ꢀD;ꢀB : G>I / _HGM . _X

V 2 AIG6 ADL <6I: 8=6G<:

=L"`_#%^Ri

X%eja

V " MIG: B : 9Kꢁ9I G6I: 9

V % ><= E: 6@ 8JGG: CI 86E67>A>IN

ꢂ ꢃ

V . J6A>;>: 9 for industrial grade applications 688DG9>C< ID ' " !"

V -7ꢀ;G: : A: 69 EA6I>C<ꢄ / D% 0 8DB EA>6CI; Halogen free mold compound

I@&MH++)

ꢀ : : 7! " % ꢀ # 4= =;0.4,77C /0=429 0/ 1: <ꢁ

V % 6G9 HL>I8=>C< 0* -0 IDEDAD<>: H

B_WL

?HJRHNL

" </0<49 2 ꢀ : /0 =HXRPUN

LI))))1++1* /K,1.I

BII/)K,1.<I

I@&MH++)

! ,B48?8 <,>49 2=ꢂ 6I , _[ꢅ ꢆ ꢇ Y ꢈ JCA: HH DI=: GL>H: HE: 8>;>: 9

DHS[L

?HXHTLZLX

A_TIVS 4VUKPZPVUY

CUPZ

(

, _<ꢅ ꢆ ꢇ Y

, _<ꢅ ꢂ ꢉ ꢉ Y

, _<ꢅ ꢆ ꢇ Y

2')

.'0

DCI>CJDJH 9G6>C 8JGG: CI

-JAH: 9 9G6>C 8JGG: CI^+#

(

=%af]dV

(

( ₌ꢅ ꢋ ꢌꢍ ꢊ ꢈ - ₌₌ꢅ ꢇ ꢉ 3

ꢊ K6A6C8=: : C: G<Nꢈ H>C<A: EJAH:

ꢊ K6A6C8=: : C: G<Nꢈ G: E: I>I>K: 1 _9K

++0

)',

+#%,#

ꢊ K6A6C8=: 8JGG: CIꢈ G: E: I>I>K: 1 _9K

* , 0# " 1 92 (U1 GJ<<: 9C: HH

$ 6I: HDJG8: KDAI6<:

_=Lꢅ ꢉ ꢌꢌꢌꢍ ꢎ ꢉ 3

92 (U1

O(_d

v+)

v,)

deReZT

ꢊ ꢏ/ ꢐ ꢂ % Oꢃ

, _<ꢅ ꢆ ꢇ Y

)

-DL: G 9>HH>E6I>DC

e`e

, _[ꢈ , _deX

ꢀꢇ ꢇ ꢌꢌꢌ ꢂ ꢇ ꢉ

ꢑ ꢉ

, E: G6I>C< 6C9 HIDG6<: I: B E: G6IJG:

* DJCI>C< IDGFJ:

* ꢋ 6C9 * ꢋ ꢌꢇ H8G: LH

E6<: ꢂ

+ 8B

/ : Kꢌ ꢆ ꢌꢆ

ꢆ ꢉ ꢉ ꢓ ꢀꢉ ꢎ ꢀꢆ ꢎ

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与IPP60R385CPXKSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPP60R450E6	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS E6 Power Transistor
IPP60R450E6XKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPP60R520C6	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPP60R520CP	INFINEON	获取价格	CoolMOS Power Transistor
IPP60R520CPXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP60R520E6	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS E6 Power Transistor
IPP60R520E6XKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPP60R600C6	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPP60R600CP	INFINEON	获取价格	CoolMOS Power Transistor
IPP60R600E6	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS E6 Power Transistor

与IPP60R385CPXKSA1相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

6
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

3
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

24
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

25

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPP60R385CPXKSA1

IPP60R385CPXKSA1 技术参数

IPP60R385CPXKSA1 数据手册

与IPP60R385CPXKSA1相关器件

与IPP60R385CPXKSA1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPP60R385CPXKSA1

IPP60R385CPXKSA1 技术参数

IPP60R385CPXKSA1 数据手册

与IPP60R385CPXKSA1相关器件

与IPP60R385CPXKSA1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？