5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IPP60R280CFD7XKSA1
IPP60R280CFD7XKSA1 PDF预览

IPP60R280CFD7XKSA1

更新时间： 2024-11-02 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 1653K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPP60R280CFD7XKSA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.61
雪崩能效等级（Eas）：36 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：9 A最大漏源导通电阻：0.28 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：31 A表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPP60R280CFD7XKSA1 数据手册

 浏览型号IPP60R280CFD7XKSA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPP60R280CFD7XKSA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPP60R280CFD7XKSA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPP60R280CFD7XKSA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPP60R280CFD7XKSA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPP60R280CFD7XKSA1的Datasheet PDF文件第7页 
IPP60R280CFD7  
MOSFET  
PG-TOꢀ220  
600VꢀCoolMOSªꢀCFD7ꢀPowerꢀTransistor  
CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower  
MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand  
pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀTheꢀlatestꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀisꢀthe  
successorꢀtoꢀtheꢀCoolMOS™ꢀCFD2ꢀseriesꢀandꢀisꢀanꢀoptimizedꢀplatform  
tailoredꢀtoꢀtargetꢀsoftꢀswitchingꢀapplicationsꢀsuchꢀasꢀphase-shiftꢀfull-bridge  
(ZVS)ꢀandꢀLLC.ꢀResultingꢀfromꢀreducedꢀgateꢀchargeꢀ(Qg),ꢀbest-in-class  
reverseꢀrecoveryꢀchargeꢀ(Qrr)ꢀandꢀimprovedꢀturnꢀoffꢀbehaviorꢀCoolMOS™  
CFD7ꢀoffersꢀhighestꢀefficiencyꢀinꢀresonantꢀtopologies.ꢀAsꢀpartꢀofꢀInfineon’s  
fastꢀbodyꢀdiodeꢀportfolio,ꢀthisꢀnewꢀproductꢀseriesꢀblendsꢀallꢀadvantagesꢀof  
aꢀfastꢀswitchingꢀtechnologyꢀtogetherꢀwithꢀsuperiorꢀhardꢀcommutation  
robustness,ꢀwithoutꢀsacrificingꢀeasyꢀimplementationꢀinꢀtheꢀdesign-in  
process.ꢀTheꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀtechnologyꢀmeetsꢀhighestꢀefficiencyꢀand  
reliabilityꢀstandardsꢀandꢀfurthermoreꢀsupportsꢀhighꢀpowerꢀdensity  
solutions.ꢀAltogether,ꢀCoolMOS™ꢀCFD7ꢀmakesꢀresonantꢀswitching  
topologiesꢀmoreꢀefficient,ꢀmoreꢀreliable,ꢀlighterꢀandꢀcooler.  
tab  
Drain  
Pin 2, Tab  
Gate  
Pin 1  
Features  
•ꢀUltra-fastꢀbodyꢀdiode  
Source  
Pin 3  
•ꢀLowꢀgateꢀcharge  
•ꢀBest-in-classꢀreverseꢀrecoveryꢀchargeꢀ(Qrr)  
•ꢀImprovedꢀMOSFETꢀreverseꢀdiodeꢀdv/dtꢀandꢀdiF/dtꢀruggedness  
•ꢀLowestꢀFOMꢀRDS(on)*QgꢀandꢀRDS(on)*Eoss  
•ꢀBest-in-classꢀRDS(on)ꢀinꢀSMDꢀandꢀTHDꢀpackages  
Benefits  
•ꢀExcellentꢀhardꢀcommutationꢀruggedness  
•ꢀHighestꢀreliabilityꢀforꢀresonantꢀtopologies  
•ꢀHighestꢀefficiencyꢀwithꢀoutstandingꢀease-of-useꢀ/ꢀperformanceꢀtradeoff  
•ꢀEnablingꢀincreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutions  
Potentialꢀapplications  
SuiteableꢀforꢀSoftꢀSwitchingꢀtopologies  
Optimizedꢀforꢀphase-shiftꢀfull-bridgeꢀ(ZVS),ꢀLLCꢀApplicationsꢀ–ꢀServer,  
Telecom,ꢀEVꢀCharging  
ProductꢀValidation:ꢀQualifiedꢀforꢀindustrialꢀapplicationsꢀaccordingꢀtoꢀthe  
relevantꢀtestsꢀofꢀJEDEC47/20/22  
Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate  
orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
Value  
650  
280  
18  
Unit  
V
mΩ  
nC  
A
Qg,typ  
ID,pulse  
31  
Eoss @ 400V  
Body diode diF/dt  
2.0  
µJ  
1300  
A/µs  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPP60R280CFD7  
PG-TO 220-3  
60R280F7  
see Appendix A  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2018-01-18  
1234567...14

中文翻译

下载PDF

与IPP60R280CFD7XKSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP60R280E6 INFINEON

获取价格

 		600V CoolMOS E6 Power Transistor
IPP60R280E6XKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPP60R280P6 INFINEON

获取价格

 		Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPP60R280P6 ISC

获取价格

 		N-Channel MOSFET Transistor
IPP60R280P6_15 INFINEON

获取价格

 		Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPP60R280P7 INFINEON

获取价格

 		600V CoolMOS™ P7 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产
IPP60R280P7XKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPP60R299CP INFINEON

获取价格

 		CoolMOS Power Transistor
IPP60R299CP_07 INFINEON

获取价格

 		CoolMOS Power Transistor
IPP60R299CPXKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IPP60R280CFD7XKSA1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证