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IPP60R299CP PDF预览

IPP60R299CP

更新时间： 2024-11-02 03:44:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 334K
描述
CoolMOS Power Transistor

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IPP60R299CP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：8.47
雪崩能效等级（Eas）：290 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.299 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：96 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：34 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPP60R299CP 数据手册

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IPP60R299CP  
CoolMOSTM Power Transistor  
Features  
Product Summary  
DS @ Tj,max  
R DS(on),max  
Q g,typ  
V
650  
0.299  
22  
V
• Lowest figure-of-merit RONxQg  
• Ultra low gate charge  
Ω
nC  
• Extreme dv/dt rated  
• High peak current capability  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
PG-TO220  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
CoolMOS CP is specially designed for:  
Hard switching SMPS topologies  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
IPP60R299CP  
PG-TO220  
SP000084280  
6R299P  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
11  
7
Continuous drain current  
A
Pulsed drain current2)  
34  
290  
I D,pulse  
E AS  
I D=4.4 A, V DD=50 V  
I D=4.4 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
A
2),3)  
2),3)  
E AR  
0.44  
4.4  
Avalanche energy, repetitive t AR  
I AR  
Avalanche current, repetitive t AR  
V
DS=0...480 V  
50  
±20  
MOSFET dv /dt ruggedness  
dv /dt  
V/ns  
V
V GS  
Gate source voltage  
static  
±30  
AC (f >1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
96  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
-55 ... 150  
60  
Operating and storage temperature  
Mounting torque  
°C  
M3 and M3.5 screws  
page 1  
Ncm  
Rev. 2.0  
2006-04-04  
1234567...10

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IPP60R299CP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPW60R299CP INFINEON

类似代替

 CoolMOS Power Transistor
STW16N65M5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 12A, 650V, 0.279ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
STP16N65M5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 650 V, 0.230 Ohm, 12 A MDmesh V Power MOSFET in DPAK, DPAK

与IPP60R299CP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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