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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP60R190E6XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IPP60R190P6 | ISC |
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N-Channel MOSFET Transistor |
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| IPP60R190P6 | INFINEON |
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英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在 |
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| IPP60R199CP | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| IPP60R199CP_07 | INFINEON |
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CoolMOS® Power Transistor |
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| IPP60R199CPXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP60R210CFD7 | INFINEON |
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600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superj |
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| IPP60R210CFD7XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IPP60R250CP | INFINEON |
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CoolMOSTM Power Transistor |
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| IPP60R250CPXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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