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IPP60R190P6

更新时间： 2024-11-03 11:01:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
19页	3097K
描述
英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在 CoolMOS™ P6 中设计，填补了专注于提供最佳性能的技术与更专注于易用性的技术之间的空白。

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IPP60R190P6 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	2.35
Samacsys Description：	MOSFET Metal Oxide Semi conductor Field Effect Transistor	雪崩能效等级（Eas）：	419 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	20.2 A
最大漏源导通电阻：	0.19 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	57 A
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

MOSFET

MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor

CoolMOS™ꢀP6

600VꢀCoolMOS™ꢀP6ꢀPowerꢀTransistor

IPx60R190P6

DataꢀSheet

Rev.ꢀ2.2

Final

PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket

12 3 4 5 6 7...19

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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