Datasheet > IPLK60R1K5PFD7

IPLK60R1K5PFD7

更新时间： 2023-12-06 20:13:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关二极管
页数	文件大小	规格书
14页	1371K
描述
600V CoolMOS? PFD7 超结 MOSFET (IPLK60R1K5PFD7) 是对 CoolMOS? 7 消费级产品的补充。IPLK60R1K5PFD7 采用具备 1,500m Ohm RDS(on) 的 ThinPAK 5x6 封装，开关损耗较低。该封装的特点在于其 5x6 mm2 的超小尺寸和高度仅为 1mm 的纤薄外形。配合标杆性的低寄生电感，上述特点即可有效缩小封装外形尺寸并提高功率密度。CoolMOS? PFD7 产品通过集成快速体二极管增强器件稳健性，进而节省客户的物料清单 (BOM) 成本。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPLK60R1K5PFD7 数据手册

600VꢀCoolMOSªꢀPFD7ꢀSJꢀPowerꢀDevice

IPLK60R1K5PFD7

Diagramꢀ5:ꢀTyp.ꢀoutputꢀcharacteristics

Diagramꢀ6:ꢀTyp.ꢀoutputꢀcharacteristics

20 V

10 V

20 V

10 V

8 V

7 V

8 V

7 V

6 V

5.5 V

6 V

5.5 V

5 V

4.5 V

V_DSꢀ[V]

I_D=f(V_DS);ꢀT_j=25ꢀ°C;ꢀparameter:ꢀV_GS

I_D=f(V_DS);ꢀT_j=125ꢀ°C;ꢀparameter:ꢀV_GS

Diagramꢀ7:ꢀTyp.ꢀdrain-sourceꢀon-stateꢀresistance

Diagramꢀ8:ꢀDrain-sourceꢀon-stateꢀresistance

4.200

2.5

4.000

3.800

3.600

2.0

1.5

1.0

0.5

10 V

6.5 V 7 V

5.5 V

6 V

20 V

3.400

3.200

3.000

2.800

2.600

2.400

2.200

-50

-25

100

125

150

I_Dꢀ[A]

T_jꢀ[°C]

R_DS(on)=f(I_D);ꢀT_j=125ꢀ°C;ꢀparameter:ꢀV_GS

R_DS(on)=f(T_j);ꢀI_D=0.7ꢀA;ꢀV_GS=10ꢀV

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2020-01-22

1...5 6 789 10 11...14

中文翻译

下载PDF

与IPLK60R1K5PFD7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPLK60R360PFD7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET (IPLK60R360PFD7)
IPLK60R600PFD7	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS? PFD7 superjunction MOSFET in ThinPAK 5x6 package
IPLK70R1K2P7	INFINEON	获取价格	CoolMOS? P7超结 (SJ) MOSFET 系列旨在解决低功耗开关电源市场的典型挑
IPLK70R1K4P7	INFINEON	获取价格	CoolMOS™ P7超结 (SJ) MOSFET 系列旨在解决低功耗开关电源市场的典型挑
IPLK70R2K0P7	INFINEON	获取价格	CoolMOS? P7超结 (SJ) MOSFET 系列旨在解决低功耗开关电源市场的典型挑
IPLK70R600P7	INFINEON	获取价格	CoolMOS? P7超结 (SJ) MOSFET 系列旨在解决低功耗开关电源市场的典型挑
IPLK70R750P7	INFINEON	获取价格	CoolMOS? P7超结 (SJ) MOSFET 系列旨在解决低功耗开关电源市场的典型挑
IPLK70R900P7	INFINEON	获取价格	CoolMOS™ P7超结 (SJ) MOSFET 系列旨在解决低功耗开关电源市场的典型挑
IPLK80R1K2P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS?P7超结 MOSFET 系列是低功耗开关电源应用的完美之选，完全
IPLK80R1K4P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS?P7超结 MOSFET 系列是低功耗开关电源应用的完美之选，完全