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IPLU300N04S4-1R1

更新时间: 2024-02-04 01:40:09
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 280K
描述
Power Field-Effect Transistor,

IPLU300N04S4-1R1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.73湿度敏感等级:1
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

IPLU300N04S4-1R1 数据手册

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IPLU300N04S4-1R1  
OptiMOS-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
RDS(on)  
ID  
40  
V
1.15  
300  
mW  
A
Features  
H-PSOF-8-1  
Tab  
• N-channel - Enhancement mode  
• AEC qualified  
8
1
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green product (RoHS compliant); 100% lead free  
• Ultra low Rds(on)  
1
8
Tab  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPLU300N04S4-1R1  
H-PSOF-8-1  
4N041R1  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
T C=25°C, V GS=10V1)  
I D  
Continuous drain current  
300  
A
T C=100 °C,  
V GS=10 V2)  
277  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
1200  
300  
Avalanche energy, single pulse2)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=150 A  
mJ  
A
I AS  
-
300  
V GS  
-
±20  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
300  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-
-55 ... +175  
Rev. 1.0  
page 1  
2014-11-21  

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