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IPLU300N04S4-R7

更新时间： 2024-11-05 12:36:19
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英飞凌 - INFINEON /
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9页 439K
描述
OptiMOS-T2 Power-Transistor

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IPLU300N04S4-R7 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：750 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：300 A
最大漏源导通电阻：0.00076 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-F8JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：1200 A参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPLU300N04S4-R7 数据手册

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IPLU300N04S4-R7  
OptiMOS™-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
RDS(on)  
ID  
40  
V
0.76  
300  
mW  
A
Features  
H-PSOF-8-1  
Tab  
• N-channel - Enhancement mode  
• AEC qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green product (RoHS compliant); 100% lead free  
• Ultra low Rds(on)  
8
1
1
8
Tab  
Drain  
Tab  
• 100% Avalanche tested  
Gate  
pin 1  
Type  
Package  
Marking  
4N04R7  
IPLU300N04S4-R7  
H-PSOF-8-1  
Source  
pin 2 - 8  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
T C=25°C, VGS=10V1)  
I D  
Continuous drain current  
300  
A
T C=100 °C,  
VGS=10 V2)  
300  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
I AS  
T C=25 °C  
1200  
750  
300  
±20  
429  
Avalanche energy, single pulse2)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=150 A  
mJ  
A
-
VGS  
Ptot  
-
V
T C=25 °C  
Power dissipation  
W
°C  
T j, T stg  
-
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.0  
page 1  
2013-11-12  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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