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IPLU300N04S41R1XTMA1

更新时间： 2024-01-17 21:31:34

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	283K
描述
Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 40V, 0.00115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, H-PSOF-8-1, 8 PIN

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IPLU300N04S41R1XTMA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	20 weeks	风险等级：	1.69
Is Samacsys：	N	其他特性：	ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	300 A	最大漏源导通电阻：	0.00115 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-F2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1200 A	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPLU300N04S41R1XTMA1 数据手册

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IPLU300N04S4-1R1

OptiMOS™-T2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

R_DS(on)

I_D

1.15

300

Features

H-PSOF-8-1

Tab

• N-channel - Enhancement mode

• AEC qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green product (RoHS compliant); 100% lead free

• Ultra low Rds(on)

Tab

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

IPLU300N04S4-1R1

H-PSOF-8-1

4N041R1

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

T _C=25°C, V _GS=10V¹⁾

I _D

Continuous drain current

300

T _C=100 °C,

V _GS=10 V²⁾

277

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

1200

300

Avalanche energy, single pulse²⁾

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

I _D=150 A

I _AS

300

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

300

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... +175

Rev. 1.0

page 1

2014-11-21

12 3 4 5 6 7...9

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