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IPLK60R1K5PFD7

更新时间： 2023-12-06 20:13:07

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英飞凌 - INFINEON		开关二极管
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14页	1371K
描述
600V CoolMOS? PFD7 超结 MOSFET (IPLK60R1K5PFD7) 是对 CoolMOS? 7 消费级产品的补充。IPLK60R1K5PFD7 采用具备 1,500m Ohm RDS(on) 的 ThinPAK 5x6 封装，开关损耗较低。该封装的特点在于其 5x6 mm2 的超小尺寸和高度仅为 1mm 的纤薄外形。配合标杆性的低寄生电感，上述特点即可有效缩小封装外形尺寸并提高功率密度。CoolMOS? PFD7 产品通过集成快速体二极管增强器件稳健性，进而节省客户的物料清单 (BOM) 成本。

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IPLK60R1K5PFD7 数据手册

600VꢀCoolMOSªꢀPFD7ꢀSJꢀPowerꢀDevice

IPLK60R1K5PFD7

4ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀcharacteristicsꢀdiagrams

Diagramꢀ1:ꢀPowerꢀdissipation

Diagramꢀ2:ꢀSafeꢀoperatingꢀarea

10¹

1 µs

10⁰

10^-1

10^-2

10^-3

10^-4

10 µs

100 µs

1 ms

10 ms

100

125

150

10⁰

10¹

10²

10³

T_Cꢀ[°C]

V_DSꢀ[V]

P_tot=f(T_C)

I_D=f(V_DS);ꢀT_C=25ꢀ°C;ꢀD=0;ꢀparameter:ꢀt_p

Diagramꢀ3:ꢀSafeꢀoperatingꢀarea

Diagramꢀ4:ꢀMax.ꢀtransientꢀthermalꢀimpedance

10¹

1 µs

10⁰

10^-1

10^-2

10^-3

10^-4

0.5

0.2

10 µs

10⁰

100 µs

1 ms

0.1

0.05

0.02

0.01

single pulse

10 ms

10^-1

10⁰

10¹

10²

10³

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

V_DSꢀ[V]

t_pꢀ[s]

I_D=f(V_DS);ꢀT_C=80ꢀ°C;ꢀD=0;ꢀparameter:ꢀt_p

Z_thJCꢀ=f(t_P);ꢀparameter:ꢀD=t_p/T

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2020-01-22

1...4 5 678 9 10...14

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