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IPLK70R1K4P7

更新时间： 2024-11-06 11:13:39
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英飞凌 - INFINEON 开关
页数 文件大小 规格书
13页 1797K
描述
CoolMOS™ P7超结 (SJ) MOSFET 系列旨在解决低功耗开关电源市场的典型挑战，具备卓越的性能和易用性，更小的外形尺寸和更高的价格竞争力。ThinPAK 5x6 封装的特点是占用空间非常小，仅为 5x6 mm²，低剖面高度仅为 1 mm。再加上其标杆的低寄生效应，正是这些特点造就了其更小的外形尺寸，同时还有助于提高功率密度。此组合使ThinPAK 封装中的 CoolMOS™P7成为了其目标应用的完美选择。700V CoolMOS™ P7 系列针对反激式拓扑结构进行了优化。

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IPLK70R1K4P7  
MOSFET  
ThinPAKꢀ5x6  
8
700VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀTransistor  
7
CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower  
MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand  
pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.  
6
5
TheꢀlatestꢀCoolMOS™ꢀP7ꢀisꢀanꢀoptimizedꢀplatformꢀtailoredꢀtoꢀtargetꢀcost  
sensitiveꢀapplicationsꢀinꢀconsumerꢀmarketsꢀsuchꢀasꢀcharger,ꢀadapter,  
lighting,ꢀTV,ꢀetc.  
TheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSuperjunction  
MOSFET,ꢀcombinedꢀwithꢀanꢀexcellentꢀprice/performanceꢀratioꢀandꢀstateꢀof  
theꢀartꢀease-of-useꢀlevel.ꢀTheꢀtechnologyꢀmeetsꢀhighestꢀefficiency  
standardsꢀandꢀsupportsꢀhighꢀpowerꢀdensity,ꢀenablingꢀcustomersꢀgoing  
towardsꢀveryꢀslimꢀdesigns.  
1
2
3
4
*1: Internal body diode  
*2: Internal ESD diode  
Drain  
Pin 5,6,7,8  
Features  
•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀRDS(on)*QgꢀandꢀRDS(on)*Eoss  
•ꢀExcellentꢀthermalꢀbehavior  
*1  
Gate  
Pin 4  
*2  
•ꢀIntegratedꢀESDꢀprotectionꢀdiode  
•ꢀLowꢀswitchingꢀlossesꢀ(Eoss  
•ꢀFullyꢀqualifiedꢀacc.ꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications  
)
Kelvin  
Source  
Pin 3  
Source  
Pin 1,2  
Benefits  
•ꢀCostꢀcompetitiveꢀtechnology  
•ꢀLowerꢀtemperature  
•ꢀHighꢀESDꢀruggedness  
•ꢀEnablesꢀefficiencyꢀgainsꢀatꢀhigherꢀswitchingꢀfrequencies  
•ꢀEnablesꢀhighꢀpowerꢀdensityꢀdesignsꢀandꢀsmallꢀformꢀfactors  
Potentialꢀapplications  
RecommendedꢀforꢀFlybackꢀtopologiesꢀinꢀChargersꢀandꢀAdapters  
Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate  
orꢀseperateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj=25°C  
RDS(on),max  
Value  
700  
1.4  
4.7  
8.2  
0.6  
3
Unit  
V
Ω
Qg,typ  
nC  
A
ID,pulse  
Eoss @ 400V  
V(GS)th,typ  
µJ  
V
ESD class (HBM)  
1C  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
ThinPAK 5x6 SMD  
Marking  
RelatedꢀLinks  
see Appendix A  
IPLK70R1K4P7  
70R1K4P7  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2018-09-26  
1234567...13

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