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IPLK60R360PFD7

更新时间： 2024-11-06 11:13:31

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英飞凌 - INFINEON		开关二极管
页数	文件大小	规格书
14页	1378K
描述
600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET (IPLK60R360PFD7) 使 CoolMOS™ 7 的消费应用更加广泛。采用 ThinPAK 5x6封装的 IPLK60R360PFD7 具有 360mOhm RDS(on) ，从而降低开关损耗。这种封装方式占用空间非常小，只有 5x6mm²，高度非常低，仅 1mm。再加上标杆低寄生参数，使得外形显著缩小，并有助于提高功率密度。CoolMOS™ PFD7 产品集成了快速体二极管，可确保器件的坚固性，有利于客户减少材料清单 (BOM)。

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IPLK60R360PFD7 数据手册

IPLK60R360PFD7

MOSFET

ThinPAKꢀ5x6

600VꢀCoolMOSªꢀPFD7ꢀSJꢀPowerꢀDevice

CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower

MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand

pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.

TheꢀlatestꢀCoolMOS™ꢀPFD7ꢀisꢀanꢀoptimizedꢀplatformꢀtailoredꢀtoꢀtarget

costꢀsensitiveꢀapplicationsꢀinꢀconsumerꢀmarketsꢀsuchꢀasꢀcharger,ꢀadapter,

motorꢀdrive,ꢀlighting,ꢀetc.

TheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSuperjunction

MOSFET,ꢀcombinedꢀwithꢀanꢀexcellentꢀprice/performanceꢀratioꢀandꢀstateꢀof

theꢀartꢀease-of-useꢀlevel.ꢀTheꢀtechnologyꢀmeetsꢀhighestꢀefficiency

standardsꢀandꢀsupportsꢀhighꢀpowerꢀdensity,ꢀenablingꢀcustomersꢀgoing

towardsꢀveryꢀslimꢀdesigns.

*1: Internal body diode

*2: Internal ESD diode

Drain

Pin 5,6,7,8

Features

•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀR_DS(on)*Q_gꢀandꢀR_DS(on)*E_oss

•ꢀLowꢀswitchingꢀlossesꢀE_oss,ꢀexcellentꢀthermalꢀbehavior

•ꢀFastꢀbodyꢀdiode

Gate

Pin 4

•ꢀWideꢀrangeꢀportfolioꢀofꢀR_DS(on)ꢀandꢀpackageꢀvariations

•ꢀIntegratedꢀzenerꢀdiode

Kelvin

Source

Pin 3

Source

Pin 1,2

Benefits

•ꢀEnablesꢀhighꢀpowerꢀdensityꢀdesignsꢀandꢀsmallꢀformꢀfactors

•ꢀEnablesꢀefficiencyꢀgainsꢀatꢀhigherꢀswitchingꢀfrequencies

•ꢀExcellentꢀcommutationꢀruggedness

•ꢀEasyꢀtoꢀselectꢀrightꢀpartsꢀandꢀoptimizeꢀtheꢀdesign

•ꢀHighꢀESDꢀruggedness

Potentialꢀapplications

RecommendedꢀforꢀZVSꢀtopologiesꢀusedꢀinꢀhighꢀdensityꢀchargers,

adapters,ꢀlightingꢀandꢀmotorꢀdrivesꢀapplications,ꢀetc.

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Value

650

360

12.7

Unit

mΩ

Q_g,typ

I_D,pulse

E_oss@ 400V

Body diode di_F/dt

ESD Class (HBM)

1.6

µJ

1300

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

ThinPAK 5x6 SMD

Marking

RelatedꢀLinks

see Appendix A

IPLK60R360PFD7

60R360D7

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2020-01-22

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IPLK70R1K4P7	INFINEON	获取价格	CoolMOS™ P7超结 (SJ) MOSFET 系列旨在解决低功耗开关电源市场的典型挑
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