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IPLK60R1K5PFD7

更新时间： 2023-12-06 20:13:07

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英飞凌 - INFINEON		开关二极管
页数	文件大小	规格书
14页	1371K
描述
600V CoolMOS? PFD7 超结 MOSFET (IPLK60R1K5PFD7) 是对 CoolMOS? 7 消费级产品的补充。IPLK60R1K5PFD7 采用具备 1,500m Ohm RDS(on) 的 ThinPAK 5x6 封装，开关损耗较低。该封装的特点在于其 5x6 mm2 的超小尺寸和高度仅为 1mm 的纤薄外形。配合标杆性的低寄生电感，上述特点即可有效缩小封装外形尺寸并提高功率密度。CoolMOS? PFD7 产品通过集成快速体二极管增强器件稳健性，进而节省客户的物料清单 (BOM) 成本。

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IPLK60R1K5PFD7 数据手册

600VꢀCoolMOSªꢀPFD7ꢀSJꢀPowerꢀDevice

IPLK60R1K5PFD7

3ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀcharacteristics

atꢀT_j=25°C,ꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified

Tableꢀ4ꢀꢀꢀꢀꢀStaticꢀcharacteristics

Values

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

600

3.5

Typ.

Max.

Drain-source breakdown voltage

Gate threshold voltage

V_(BR)DSS

V_(GS)th

V_GS=0V,ꢀI_D=1mA

4.5

V_DS=V_GS,ꢀI_D=0.04mA

V_DS=600V,ꢀV_GS=0V,ꢀT_j=25°C

V_DS=600V,ꢀV_GS=0V,ꢀT_j=125°C

Zero gate voltage drain current¹⁾

Gate-source leakage current

Drain-source on-state resistance

Gate resistance

I_DSS

µA

I_GSS

1000 nA

V_GS=20V,ꢀV_DS=0V

1.230 1.500

2.889

V_GS=10V,ꢀI_D=0.7A,ꢀT_j=25°C

V_GS=10V,ꢀI_D=0.7A,ꢀT_j=150°C

R_DS(on)

R_G

Ω

11.0

f=1MHz,ꢀopenꢀdrain

Tableꢀ5ꢀꢀꢀꢀꢀDynamicꢀcharacteristics

Values

Typ.

169

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

Input capacitance

Output capacitance

C_iss

V_GS=0V,ꢀV_DS=400V,ꢀf=250kHz

C_oss

Effective output capacitance, energy

related²⁾

C_o(er)

C_o(tr)

t_d(on)

t_r

V_GS=0V,ꢀV_DS=0...400V

Effective output capacitance, time

related³⁾

6.4

I_D=constant,ꢀV_GS=0V,ꢀV_DS=0...400V

V_DD=400V,ꢀV_GS=10V,ꢀI_D=0.7A,

R_G=10.2Ω;ꢀseeꢀtableꢀ9

Turn-on delay time

Rise time

V_DD=400V,ꢀV_GS=10V,ꢀI_D=0.7A,

R_G=10.2Ω;ꢀseeꢀtableꢀ9

V_DD=400V,ꢀV_GS=10V,ꢀI_D=0.7A,

R_G=10.2Ω;ꢀseeꢀtableꢀ9

Turn-off delay time

Fall time

t_d(off)

t_f

41.5

V_DD=400V,ꢀV_GS=10V,ꢀI_D=0.7A,

R_G=10.2Ω;ꢀseeꢀtableꢀ9

Tableꢀ6ꢀꢀꢀꢀꢀGateꢀchargeꢀcharacteristics

Values

Typ.

1.0

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

Gate to source charge

Gate to drain charge

Gate charge total

Q_gs

V_DD=400V,ꢀI_D=0.7A,ꢀV_GS=0ꢀtoꢀ10V

Q_gd

1.8

Q_g

4.6

Gate plateau voltage

V_plateau

5.6

¹⁾Maximum specification is defined by calculated six sigma upper confidence bound

²⁾ꢀC_o(er)ꢀisꢀaꢀfixedꢀcapacitanceꢀthatꢀgivesꢀtheꢀsameꢀstoredꢀenergyꢀasꢀC_ossꢀwhileꢀV_DSꢀisꢀrisingꢀfromꢀ0ꢀtoꢀ400V

³⁾ꢀC_o(tr)ꢀisꢀaꢀfixedꢀcapacitanceꢀthatꢀgivesꢀtheꢀsameꢀchargingꢀtimeꢀasꢀC_ossꢀwhileꢀV_DSꢀisꢀrisingꢀfromꢀ0ꢀtoꢀ400V

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2020-01-22

1 2 3 456 7 8...14

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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