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IPLK60R1K5PFD7

更新时间： 2023-12-06 20:13:07

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英飞凌 - INFINEON		开关二极管
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14页	1371K
描述
600V CoolMOS? PFD7 超结 MOSFET (IPLK60R1K5PFD7) 是对 CoolMOS? 7 消费级产品的补充。IPLK60R1K5PFD7 采用具备 1,500m Ohm RDS(on) 的 ThinPAK 5x6 封装，开关损耗较低。该封装的特点在于其 5x6 mm2 的超小尺寸和高度仅为 1mm 的纤薄外形。配合标杆性的低寄生电感，上述特点即可有效缩小封装外形尺寸并提高功率密度。CoolMOS? PFD7 产品通过集成快速体二极管增强器件稳健性，进而节省客户的物料清单 (BOM) 成本。

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IPLK60R1K5PFD7 数据手册

600VꢀCoolMOSªꢀPFD7ꢀSJꢀPowerꢀDevice

IPLK60R1K5PFD7

1ꢀꢀꢀꢀꢀMaximumꢀratings

atꢀT_jꢀ=ꢀ25°C,ꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified

Tableꢀ2ꢀꢀꢀꢀꢀMaximumꢀratings

Values

Typ.

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

3.8

2.4

T_C=25°C

Continuous drain current¹⁾

I_D

T_C=100°C

Pulsed drain current²⁾

I_D,pulse

E_AS

E_AR

I_AS

6.0

T_C=25°C

Avalanche energy, single pulse

Avalanche energy, repetitive

Avalanche current, single pulse

MOSFET dv/dt ruggedness

Gate source voltage (static)

Gate source voltage (dynamic)

Power dissipation

I_D=0.7A; V_DD=50V; see table 10

0.04

0.7

120

I_D=0.7A; V_DD=50V; see table 10

dv/dt

V_GS

P_tot

T_stg

T_j

V/ns V_DS=0...400V

-20

-30

static;

AC (f>1 Hz)

°C

T_C=25°C

Storage temperature

-55

150

Operating junction temperature

Mounting torque

Ncm -

Continuous diode forward current¹⁾

Diode pulse current²⁾

I_S

3.8

6.0

T_C=25°C

I_S,pulse

T_C=25°C

V_DS=0...400V,ꢀI_SD<=2.7A,ꢀT_j=25°Cꢀꢀꢀꢀ

Reverse diode dv/dt³⁾

dv/dt

V/ns

see table 8

V_DS=0...400V,ꢀI_SD<=2.7A,ꢀT_j=25°Cꢀꢀꢀꢀ

Maximum diode commutation speed

Insulation withstand voltage

di_F/dt

1300 A/µs

n.a.

see table 8

V_ISO

V_rms,ꢀT_C=25°C,ꢀt=1min

¹⁾Limited by T_j,max. Maximum Duty Cycle D = 0.50

²⁾Pulse width t_plimited by T_j,max

³⁾Identical low side and high side switch with identical R_G

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2020-01-22

1 234 5 6 7...14

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