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IPF013N04NF2S

更新时间： 2023-09-03 20:32:22

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英飞凌 - INFINEON		/
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11页	1051K
描述
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 40 V features low RDS(on) of 1.35 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.

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IPF013N04NF2S 数据手册

StrongIRFET^TM2ꢀPower-Transistor

IPF013N04NF2S

4ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀcharacteristicsꢀdiagrams

Diagramꢀ1:ꢀPowerꢀdissipation

Diagramꢀ2:ꢀDrainꢀcurrent

200

250

225

200

175

150

125

100

175

150

125

100

125

150

175

100

125

150

175

T_Cꢀ[°C]

P_tot=f(T_C)

I_D=f(T_C);ꢀV_GS≥10ꢀV

Diagramꢀ3:ꢀSafeꢀoperatingꢀarea

Diagramꢀ4:ꢀMax.ꢀtransientꢀthermalꢀimpedance

10⁴

10¹

single pulse

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

10³

10²

10¹

10⁰

10^-1

10^-2

1 µs

10 µs

10⁰

0.5

100 µs

1 ms

10^-1

10^-2

10^-3

10 ms

10^-1

10⁰

10¹

10²

10^-6

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

V_DSꢀ[V]

t_pꢀ[s]

I_D=f(V_DS);ꢀT_C=25ꢀ°C;ꢀD=0;ꢀparameter:ꢀt_p

Z_thJC=f(t_p);ꢀparameter:ꢀD=t_p/T

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-10-11

1...3 4 567 8 9...11

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