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IPF013N04NF2S

更新时间： 2023-09-03 20:32:22

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英飞凌 - INFINEON		/
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11页	1051K
描述
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 40 V features low RDS(on) of 1.35 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.

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IPF013N04NF2S 数据手册

StrongIRFET^TM2ꢀPower-Transistor

IPF013N04NF2S

3ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀcharacteristics

atꢀT_j=25ꢀ°C,ꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified

Tableꢀ4ꢀꢀꢀꢀꢀStaticꢀcharacteristics

Values

Typ.

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

Drain-source breakdown voltage

Gate threshold voltage

V_(BR)DSS

V_GS(th)

V_GS=0ꢀV,ꢀI_D=1ꢀmA

2.1

2.8

3.4

V_DS=V_GS,ꢀI_D=126ꢀµA

0.1

100

V_DS=40ꢀV,ꢀV_GS=0ꢀV,ꢀT_j=25ꢀ°C

V_DS=40ꢀV,ꢀV_GS=0ꢀV,ꢀT_j=125ꢀ°C

Zero gate voltage drain current

Gate-source leakage current

Drain-source on-state resistance

I_DSS

µA

I_GSS

100

V_GS=20ꢀV,ꢀV_DS=0ꢀV

1.08

1.24

1.35

1.8

V_GS=10ꢀV,ꢀI_D=100ꢀA

V_GS=6ꢀV,ꢀI_D=50ꢀA

R_DS(on)

mΩ

Gate resistance

Transconductance¹⁾

R_G

g_fs

2.0

Ω

195

|V_DS|≥2|I_D|R_DS(on)max,ꢀI_D=100ꢀA

Tableꢀ5ꢀꢀꢀꢀꢀDynamicꢀcharacteristics

Values

Typ.

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

Input capacitance

C_iss

C_oss

C_rss

7500

2760

145

V_GS=0ꢀV,ꢀV_DS=20ꢀV,ꢀf=1ꢀMHz

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

V_DD=20ꢀV,ꢀV_GS=10ꢀV,ꢀI_D=100ꢀA,

R_G,ext=1.6ꢀΩ

Turn-on delay time

Rise time

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_DD=20ꢀV,ꢀV_GS=10ꢀV,ꢀI_D=100ꢀA,

R_G,ext=1.6ꢀΩ

V_DD=20ꢀV,ꢀV_GS=10ꢀV,ꢀI_D=100ꢀA,

R_G,ext=1.6ꢀΩ

Turn-off delay time

Fall time

V_DD=20ꢀV,ꢀV_GS=10ꢀV,ꢀI_D=100ꢀA,

R_G,ext=1.6ꢀΩ

Tableꢀ6ꢀꢀꢀꢀꢀGateꢀchargeꢀcharacteristics²⁾ꢀ

Values

Typ.

Parameter

Symbol

Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition

Min.

Max.

Gate to source charge

Gate charge at threshold

Gate to drain charge

Switching charge

Q_gs

V_DD=20ꢀV,ꢀI_D=100ꢀA,ꢀV_GS=0ꢀtoꢀ10ꢀV

V_DS=0.1ꢀV,ꢀV_GS=0ꢀtoꢀ10ꢀV

Q_g(th)

Q_gd

Q_sw

Gate charge total¹⁾

Q_g

106

4.3

159

Gate plateau voltage

Gate charge total, sync. FET

Output charge

V_plateau

Q_g(sync)

Q_oss

117

V_DS=20ꢀV,ꢀV_GS=0ꢀV

¹⁾Defined by design. Not subject to production test.

²⁾See ″Gate charge waveforms″ for parameter definition

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2022-10-11

1 2 345 6 7...11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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