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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.25 | 雪崩能效等级（Eas）： | 115 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 650 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.66 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 17 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD65R660CFDA | INFINEON |
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650V CoolMOS? CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先 |
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| IPD65R660CFDAATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IPD65R660CFDAT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor |
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| IPD65R660CFDBT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor |
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| IPD65R660CFDBTMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IPD65R950C6 | ISC |
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N-Channel MOSFET Transistor |
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| IPD65R950CFD | ISC |
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N-Channel MOSFET Transistor |
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| IPD65R950CFD | INFINEON |
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650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7 |
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| IPD70N03S4L-04 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPD70N03S4L-14 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0136ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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