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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.65 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 115 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.66 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 17 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD65R660CFDBT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor |
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| IPD65R660CFDBTMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IPD65R950C6 | ISC |
获取价格 |
N-Channel MOSFET Transistor |
|
| IPD65R950CFD | ISC |
获取价格 |
N-Channel MOSFET Transistor |
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| IPD65R950CFD | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7 |
|
| IPD70N03S4L-04 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPD70N03S4L-14 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0136ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD70N04S3-07 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor |
|
| IPD70N04S307ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 40V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPD70N10S3-12 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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