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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TO-252, DPAK-3/2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| Factory Lead Time： | 18 weeks | 风险等级： | 1.61 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 115 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.66 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 17 A |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD65R660CFDAT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IPD65R660CFDBT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IPD65R660CFDBTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IPD65R950C6 | ISC |
获取价格 |
N-Channel MOSFET Transistor |
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| IPD65R950CFD | ISC |
获取价格 |
N-Channel MOSFET Transistor |
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| IPD65R950CFD | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7 |
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| IPD70N03S4L-04 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPD70N03S4L-14 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0136ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD70N04S3-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
|
| IPD70N04S307ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 40V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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