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IPD60N10S4-12

更新时间： 2023-12-06 20:13:05

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IPD60N10S4-12 数据手册

IPD60N10S4-12

9 Typ. gate threshold voltage

V _GS(th)= f(T _j); V _GS= V _DS

parameter: I _D

10 Typ. capacitances

C = f(V _DS); V _GS= 0 V; f = 1 MHz

3.5

10⁴

10³

10²

10¹

10⁰

Ciss

Coss

460 µA

2.5

46 µA

Crss

1.5

V_DS[V]

100

-60

-20

100

140

180

T_j[°C]

11 Typical forward diode characteristicis

I _F= f(V_SD

12 Avalanche characteristics

I _{A S}= f(t _AV

)

parameter: T _j

parameter: T_j(start)

10³

100

25 °C

150 °C

100 °C

10²

10¹

175 °C

25 °C

10⁰

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

100

1000

V_SD[V]

t_AV[µs]

Rev. 1.1

page 6

2023-01-30

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